大家好，今天來為大家解答聯(lián)想筆記本g400配置參數(shù)，聯(lián)想g400配置參數(shù)i3這個問題的一些問題點，包括聯(lián)想筆記本g400配置參數(shù)，聯(lián)想g400配置參數(shù)i3也一樣很多人還不知道，因此呢，今天就來為大家分析分析，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！如
大家好，今天來為大家解答聯(lián)想筆記本g400配置參數(shù)，聯(lián)想g400配置參數(shù)i3這個問題的一些問題點，包括聯(lián)想筆記本g400配置參數(shù)，聯(lián)想g400配置參數(shù)i3也一樣很多人還不知道，因此呢，今天就來為大家分析分析，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！如果解決了您的問題，還望您關注下本站哦，謝謝~
聯(lián)想筆記本不充電與不開機，經典電路分析
今天給大家分享一個聯(lián)想筆記本(MEDION)不充電案例分析，不良現(xiàn)象客戶反饋使用電源能開機,但是電池不開機，機臺寄回分析
一.電路分析：
1.使用電源供應器觀察待機電流為1.14A，正常來講應該在20mA以下，由此可以判斷是主板引起的故障。
2.拆開主板觀察沒有發(fā)現(xiàn)有燒毀或者是零件腐蝕等不良，量測主板公共點電感對地二極值沒有發(fā)現(xiàn)任何問題。
3.根據(jù)不良現(xiàn)象跟充電電路有關，觀察充電管理芯片是BQ24725A，在網下找到對應的Datasheet,如下圖所示：
4.單獨使用外接電源,量測公共點1-4點電壓均為正常,確認第4點電壓為19V，由此可以判斷外接適配器電路正常.
5.插入Battery(電池),量測公共點1-4點電壓均沒有電壓。
6.根據(jù)量測懷疑跟MOS管與充電芯片有關，所以先量測Q3&Q4 MOS有沒有被擊穿,量測Q3&Q4時D-S之間二極值為0，代表完全對地short,通過量測2顆MOS都被擊穿導致,如下圖所示:
二，分析總結：
根據(jù)不良現(xiàn)象插入電源與電池后待機電流過大，主要原因是Q3&Q4擊穿導致，當Q4擊穿后電池電壓直接拉到地，所以SYSTEM電壓就不能產生，如果遇到MOS管擊穿現(xiàn)象不管是一顆損壞必須把2顆同時更換掉，因為損壞一顆后另外一顆也受到傷害，如果不更換掉使用一段時間又會燒掉.
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筆記本電腦運行游戲藍屏**機解決
現(xiàn)有一臺筆記本聯(lián)想G400，升級過內存，加裝過固態(tài)硬盤，現(xiàn)在故障是運行英雄聯(lián)盟后5-10分鐘藍屏**機，重裝過系統(tǒng)升級甚至降級過驅動。
仔細想了一下，已經使用了4年的筆記本硅脂可能老化喪失導熱能力了。于是就買了這個一個硅脂套裝。
然后我查找資料看拆機的文章找到圖解。
然后反向組裝好，最后一試玩LOL好了，舊筆記本還能再戰(zhàn)2年。
OK，本文到此結束，希望對大家有所幫助。
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